日本 Rapidus 公司在 2nm 工艺研发上持续推进，其节点逻辑密度数据首次公开网上炒股配资平台，且明显与台积电 N2 工艺相当。
在 2nm 技术竞赛中，Rapidus 极有可能与台积电展开竞争，因其逻辑密度已达到同等水平。
近几个月来，Rapidus 备受关注，主要因其作为日本半导体领域的领军企业，连英伟达也对其表示兴趣。该公司正研发代号为 “2HP” 的尖端 2nm 工艺，据 @Kurnalsalts 透露，2HP 的逻辑密度与台积电 N2 工艺相近，更重要的是，其密度大幅领先 18A 工艺。这表明 Rapidus 的工艺节点有望成为行业内最具竞争力的技术之一，以 “黑马” 之姿闯入半导体赛道。
披露的信息显示，Rapidus 2HP 的逻辑密度达 237.31 MTr/mm²，与台积电 N2 当前宣称的 236.17 MTr/mm² 基本持平。该用户还分享了实现这一密度的单元库细节，包括采用 G45 间距、单元高度 138 单位的高密度（HD）库。鉴于 N2 与 2HP 的密度相近，说明两者均采用高密度单元设计，旨在最大化逻辑密度，且最终产品的晶体管数量可能相当。
尽管英特尔的工艺节点标称尺寸更小，但其 18A 工艺的密度据称为 184.21 MTr/mm²。这主要是因为 18A 在基准测试中使用了高密度库，而另一个关键因素在于，英特尔采用 BSPDN（背面供电网络）技术，占用了部分正面金属层，导致高密度库测量时密度数值下降。由于英特尔更关注单位功耗下的性能指标，高密度并非其核心目标，尤其是 18A 工艺主要服务于内部需求。
如今，Rapidus 2HP 的密度数据无疑彰显了其在半导体行业的重大进展。更值得关注的是，这家日本企业采用了单晶圆前端工艺 —— 这种独特方案专注于针对小批量生产进行工艺调试，再通过规模优化提升最终成果。Rapidus 计划于 2026 年第一季度向客户提供 2nm PDK（物理设计套件），从现有信息来看，该工艺节点前景可观。
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